MP6M11TCR
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | MP6M11TCR |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | MPT6 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 3.5A, 10V |
Leistung - max | 2W |
Verpackung / Gehäuse | 6-SMD, Flat Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 85pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.9nC @ 5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.5A |
Konfiguration | N and P-Channel |
Grundproduktnummer | MP6M11 |
MP6M11TCR Einzelheiten PDF [English] | MP6M11TCR PDF - EN.pdf |
TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18
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MP6X11 ROHM
TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18
MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6
MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6
TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18
TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18
MP6M63TR ROHM
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MP6M11TCRRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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